Tecnologias de Memórias DRAM
Para selecionar um tipo de memória RAM em uma aplicação algumas caracterísiticas são desejadas:
Uma memória RAM comercial dificilmente atenderá todos os requisitos acima. Os fabricantes estão constantemente procurando encontrar a memória que tenha a combinação perfeita das características listadas. Então, existem vários produtos no mercado para diversas aplicações.
O mercado de memórias encontra-se em permanente mudança, um produto apresentado aqui como a novidade, pode ficar fora do mercado em alguns meses.
Memórias SIMMs e DIMMs
Estes são os padrões de cartões(pentes) de memórias para a indústria de computadores pessoais, pois como usam os conectores padrões das placas dos computadores pessoais, então são fáceis de instalar e substituir.
SIMM - Single-In-line Memory Module
É constituído por um cartão de circuito impresso com as memórias e provido de 72 contatos funcionalmente equivalentes, de ambos os lados do cartão.
Estes módulos de memórias com capacidade de 1 a 32-Mbytes usam somente memórias DRAMs de 5-Volts, na faixa de 1 a 16-Mbytes.
Na Fig.1, mostramos um módulo SIMM padrão, 72 contatos, TSOP(Thin Small-Outline, gull-lead, Package), medidas em polegadas(milímetros)(MAX/MIN).
Fig.1
A medida que a quantidade de memórias aumenta no cartão, a disposição dos CIs muda e obedece um padrão(DD) da indústria, conforme o número de CIs de memórias no pente.
Abaixo tem-se um cartão comercial com as várias capacidades possíveis. Observe as capacidades disponíveis e a designação dos pinos na tabela.
Fig.2
Os termos TSOP(Thin Small-Outline, gull-lead, Package) e SOJ(Small-Outline, J-lead package) referem-se aos pinos do chip de memória, conforme mostra a Fig.3.
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DIMM - Dual-In-line Memory Module
O padrão mais recente de cartões de memória para computadores pessoais. Tem 84 contatos funcionalmente únicos, de ambos lados do cartão, e 168 pinos. Existem cartões com tensão de alimentação igual a 5Volts e a 3,3Volts.
A capacidade do cartão depende dos chips de memória montados no cartão, e aumenta a medida que cresce a capacidade e número de chips de memória.Na Fig.4 abaixo, tem-se um cartão DIMM com 8 chips de memória em cada lado, padrão DE-4.
Há uma versão de cartão DIMM para uso em computadores portáteis, conhecido com SODIMM (Small-Outline DIMM).
Fig.4
A Fig.5 mostra um cartão de memória DIMM, padrão DE-5, capacidade 4M x 64 palavrasXbits. Observe a designação dos pinos.
Fig.5
A indústria de memórias está sempre procurando o tipo de memória que acompanhe a velocidade cada dia maior dos microprocessadores. Então novos tipos de DRAMs estão sempre aparecendo no mercado.
Memória FPM DRAM
As memórias Fast Page Mode - FPM - (Modo Página Rápida) permite um acesso aleatório rápido às posições da memória dentro de determinada "página". Por "página" entende-se uma faixa de endereços onde o endereço de linha - bits superiores - é fixo e o endereço de coluna - bits inferiores - varia. Veja na figura abaixo um ciclo de leitura de página, onde ROW ADDR permanece fixo e COL ADDR varia para serem lidas as colunas de 1 até 4.
Fig.6
Memórias EDO DRAM
As memórias Extended Data Output - EDO - (Saída de Dado Extendida) apresentam um melhoramento em relação as FPM DRAMs: enquanto os dados estão presentes nos pinos de saída, o sinal CAS pode completar seu ciclo, um novo endereço da página corrente pode ser decodificado, e o caminho do circuito de dados pode ser resetado para o próximo acesso. Isto possibilita que os circuitos de controle da memória processem o próximo endereço ao mesmo tempo que a palavra corrente está sendo lida.
A Fig.7 mostra um ciclo de leitura para uma EDO DRAM.Observe que os pinos de saída não ficam em alta impedância entre uma leitura e outra.Isto torna estas memórias mais rápidas.
Fig.7
Memórias BEDO DRAM
As memórias BEDO DRAM - Burst Extended Data Output DRAM(DRAM com Saída de Rajada de Dados Extendida ) utilizam o fato que a maior parte de dados em uma memória são acessados sequencialmente. Este modo de acesso permite que os dados sejam liberados em rajadas de um, dois, quatro, ou oito locações sequenciais da memória, uma após a outra. O endereço da coluna da primeira locação é decodificado do endereço de coluna lido do barramento de endereço; os demais endereços de colunas subsequentes são gerados internamente na memória.
As memórias BEDO DRAM precisam de um relógio(clock) para incrementar um contador interno de endereços de colunas e habilitar os dados de saída. Este clock é fornecido pelo CAS sendo pulsado para ler sucessivos bytes da memória. Enquanto o último byte de uma rajada está sendo habilitado por CAS, um novo endereço de coluna pode ser decodificado sem provocar estados de espera.
A figura abaixo mostra um ciclo de acesso de leitura para uma BEDO DRAM.Veja que apenas o endereço da primeira coluna da página é decodificado do barramento de endereços.
Fig.8
Memórias SDRAM
As memórias SDRAM - Synchronous DRAM( DRAM Síncrona) - os dados válidos são habilitados por um relógio interno do sistema(em lugar do sinal CAS) em rajadas de locações da memória dentro da mesma página. As SDRAMs tem dois bancos internos que são lidos de modo alternado, permitindo maior velocidade de leitura.
O circuito interno de uma SDRAM é mais complexo que os de outros tipos de memórias, tornando-as mais caras, porém dispensam a necessidade de circuitos externos de suporte para as outras funções da memória.
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